업계 최초의 300mm 파워 GaN(갈륨 나이트라이드) 웨이퍼를 발표하고 말레이시아 쿨림에 세계 최대 규모의 200mm SiC (실리콘 카바이드) 파워 팹을 오픈한 인피니언 테크놀로지스가 반도체 제조 기술의 다음 이정표를 공개했다. 인피니언은 대규모 반도체 팹에서 직경 300mm에 두께가 20µm(마이크로미터)에 불과한 역대 가장 얇은 실리콘 전력 웨이퍼 프로세싱에 획기적인 성과를 거두었다고 밝혔다. 이 초박형 실리콘 웨이퍼는 인간 머리카락 두께의 1/4에 불과하고 현재 첨단 웨이퍼 두께인 40-60µm의 절반에 불과하다.

요흔 하나벡 인피니언 CEO는 “세계에서 가장 얇은 실리콘 웨이퍼는 전력 반도체 기술의 경계를 넓혀 고객에게 탁월한 가치를 제공하려는 인피니언의 헌신을 증명한다. 인피니언의 초박형 웨이퍼 기술 혁신은 에너지 효율적인 전력 솔루션을 위한 중요한 진전을 의미한다. 인피니언은 Si, SiC, GaN 세 가지 반도체 소재를 모두 공급하는 혁신 리더로서의 입지를 더욱 공고히 했다”고 말했다.

이 혁신은 AI 데이터센터의 전력 변환 솔루션뿐만 아니라 컨슈머, 모터 제어 및 컴퓨팅 애플리케이션의 에너지 효율, 전력 밀도 및 신뢰성을 높이는 데 기여할 것이다. 웨이퍼 두께를 절반으로 줄이면 웨이퍼 기판 저항이 50% 감소해 기존 실리콘 웨이퍼 기반 솔루션 대비 전력 시스템에서 전력 손실이 15% 이상 줄어든다. 높은 전류 레벨로 에너지 수요가 증가하고 있는 하이엔드 AI 서버 애플리케이션의 경우, 전압을 230V에서 1.8V 이하의 프로세서 전압으로 낮춰야 하는 전력 변환에 특히 중요하다. 초박형 웨이퍼 기술은 수직 트렌치 MOSFET 기술 기반의 수직 전력 공급 설계를 강화해 AI 칩 프로세서에 매우 가깝게 연결함으로써 전력 손실을 줄이고 전반적인 효율을 향상시킨다.

인피니언 전력 및 센서 시스템 사업부의 아담 화이트 사장은 “새로운 초박형 웨이퍼 기술은 그리드에서 코어까지 다양한 AI 서버 구성에 가장 에너지 효율적인 방식으로 전력을 공급하려는 인피니언의 목표를 뒷받침한다. AI 데이터센터의 에너지 수요가 크게 증가함에 따라 에너지 효율이 점점 더 중요해지고 있다. 인피니언에게 이는 빠르게 성장하는 비즈니스 기회로, 향후 2년 이내에 인피니언의 AI 비즈니스가 10억유로에 도달할 것으로 예상한다”고 말했다.

웨이퍼의 칩을 고정하는 금속 스택이 20µm보다 두껍기 때문에 웨이퍼 두께를 20µm로 줄이기 위해서는 혁신적이고 독특한 웨이퍼 그라인딩 방식을 구축해야 했다. 이는 얇은 웨이퍼의 뒷면을 핸들링하고 프로세싱하는 데 큰 영향을 미친다. 또한 웨이퍼 휘어짐 및 분리와 같은 기술 및 생산 관련 과제는 백엔드 조립 공정에 큰 영향을 미친다. 20µm 박막 웨이퍼 공정은 인피니언의 기존 제조 전문성을 기반으로 하며, 새로운 기술을 기존 대량 Si 생산 라인에 원활하게 통합할 수 있어 최고의 수율과 공급 안정성을 보장한다.

이 기술은 이미 첫 고객에게 공급된 인피니언의IPS(DC-DC 컨버터)에 검증 및 적용됐다. 이는 20µm 웨이퍼 기술과 관련된 강력한 특허 포트폴리오를 보유하고 있는 인피니언의 반도체 제조 혁신 리더십을 증명한다. 인피니언은 초박형 웨이퍼 기술의 램프업을 통해 향후 3~4년 이내에 저전압 전력 컨버터용 기존 웨이퍼 기술을 대체할 것으로 예상한다. 이러한 혁신은 탈탄소화 및 디지털화의 핵심 요소인 Si, SiC 및 GaN 기반 디바이스를 포함한 가장 광범위한 제품 및 기술 포트폴리오를 제공하고 있는 인피니언의 시장 입지를 더욱 강화한다.

출처 : 인피니언