세계 메모리 솔루션 분야를 선도하는 키옥시아가 112층 3차원 수직 적층 구조 플래시 메모리 5세대 빅스 플래시(BiCS FLASH™)를 성공적으로 개발했다.

키옥시아는 2020년 1분기에 특정 애플리케이션을 위해 3중셀(TLC) 기술 기반 512기가비트(64기가바이트) 용량의 새로운 제품 샘플을 출하할 계획이다[*1]. 신제품은 기존의 모바일 기기, 소비자 및 엔터프라이즈 SSD, 새로운 5G 네트워크, 인공지능, 자동차 기술에 의해 구현되는 신흥 애플리케이션을 포함해 다양한 적용 분야에서 지속적으로 증가하는 수요에 대응할 것이다.

키옥시아는 앞으로 새로운 5세대 공정기술을 1테라비트(128기가바이트) TLC 및 1.33테라비트 4중셀(QLC) 소자 등 더 큰 용량의 제품에도 적용할 계획이다.

키옥시아의 혁신적인 112층 적층 공정 기술은 첨단 회로 및 제조 공정 기술과 결합해 셀어레이 밀도를 96층 적층 공정에 비해 약 20% 향상했다. 새로운 기술은 비트당 비용을 절감하고 실리콘 웨어퍼 당 생성되는 메모리 용량을 늘려준다. 또한 인터페이스 속도를 50% 향상시키고 우월한 프로그래밍 성능 및 더 짧아진 읽기 대기시간을 제공한다.

2007년 세계 최초로 프로토타입 3D 플래시 메모리 기술을 발표[2]한 이후 키옥시아는 지속적으로 3D 플래시 메모리 발전을 주도해 왔으며 소형화 및 대용량을 원하는 업계 수요를 충족하기 위해 빅스 플래시(BiCS FLASH) 개발에 주력했다.

5세대 빅스 플래시(BiCS FLASH™)는 제조 파트너 웨스턴 디지털과 공동 개발했다. 제품은 키옥시아의 욧카이치 공장 및 새롭게 설립된 기타카미 공장에서 생산된다.

출처 : 키옥시아(KIOXIA)